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制造大功率LED芯片記住這幾種方法就很了不起了

文章出處：新聞資訊責任編輯：東莞市閩光電子科技有限公司發表時間：2020-10-29

　　?　　大功率LED在油田、石化、鐵路、礦山、部隊等特殊行業、舞臺裝飾、城市景觀照明、顯示屏以及體育場館等，特種工作燈具中的具有廣泛的應用前景。

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制造大功率LED芯片的幾種方法：
　?、俅蟪叽绶?。通過增大單體LED的有效發光面積和尺寸，促使流經TCL層的電流均勻分布，以達到預期的光通量。但是，簡單地增大發光面積無法解決散熱問題和出光問題，并不能達到預期的光通量和實際應用效果。

　?、谖装宓寡b法。首先制備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時制備出相應尺寸的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金導電層及引出導電層（超聲金絲球焊點），再利用共晶焊接設備將大尺寸LED芯片與矽底板焊接在一起。這樣的結構較為合理，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率LED的生產方式。

　?、厶沾傻装宓寡b法。先利用LED芯片通用設備制備出具有適合共晶焊接電極結構的大出光面積的LED芯片和相應的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導電層及引出導電層，然后利用共晶焊接設備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結構既考慮了出光問題也考慮到了散熱問題，并且采用的陶瓷底板為高導熱陶瓷板，散熱效果非常理想，價格又相對較低，所以為目前較為適宜的底板材料，并可為將來的積體電路一體化封裝預留空間。

　?、芩{寶石襯底過渡法。按照傳統的InGaN芯片制造方法在藍寶石襯底上生長出PN結后，將藍寶石襯底切除，再連接上傳統的四元材料，制造出上下電極結構的大尺寸藍光LED芯片。

　　⑤AlGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美國Cree公司是全球唯一采用SiC襯底制造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產的AlGaInN/SiCa芯片結構不斷改進，亮度不斷提高。由于P型和N型電極分別位于芯片的底部和頂部，采用單引線鍵合，相容性較好，使用方便，因而成為AlGaInNLED發展的另一主流產品。

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